（原标题：EUV光刻机，创下新记录）
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ASML 在 imec 的 ITF World 2024 大会上通告，其首台高数值孔径机器现已创下新的芯片制造密度记录，超过了两个月前创下的记录。ASML 前总裁兼首席时候官 Martin van den Brink 目下在该公司担任参谋人，他还提议该公司不错设备超数值孔径（hyper NA）芯片制造用具，以进一步扩大其高数值孔径机器的界限，并分享了潜在的道路图。
他概述了一项狡计，通过大幅擢升将来 ASML 用具的速率到每小时 400 到 500 个晶圆 (wph)，这是目下 200 wph 峰值的两倍多，从而裁减 EUV 芯片制形老本。他还为 ASML 将来的 EUV 用具系列提倡了一种模块化调解想象。
Van der Brink 暗示，经过进一顺序整，ASML 现已使用其草创性的高数值孔径 EUV 机器打印出 8nm 密集线条，这是专为坐褥环境想象的机器的密度记录。这阻拦了该公司在 4 月初创下的记录，那时该公司通告已使用位于荷兰费尔德霍芬 ASML 总部与 imec 聚拢实验室的草创性高 NA 机器打印出 10nm 密集线条。
从长久来看，ASML 的范例低 NA EUV 机器不错打印 13.5nm 的临界尺寸（CD——不错打印的最小特征），而新的High NA EXE:5200 EUV 用具旨在通过打印 8nm 特征来制造更小的晶体管。因此，ASML 现在依然解释其机器不错满足其基本规格。
“今天，咱们依然取得了证据，大概理会创记录的 8nm 成像，在所有这个词视线范围内得到矫正，但也有一定进程的相通，”Van der Brink 说谈，“趁便说一句，这不是好意思满的数据，但它仅仅为了向你展示证据。今天，咱们有信心，凭借High NA 时候，咱们将大概在将来的时候里逾越到尽头线。”
这一里程碑代表了 10 多年的研发和数十亿欧元投资的遵守，但仍有更多责任要作念，以优化系统并为主要芯片制造商的大界限坐褥作念好准备。这项责任依然在荷兰运转，而英特尔是已知惟逐个家依然透顶拼装High NA 系统的芯片制造商，它正紧随 ASML 的脚步，在俄勒冈州的 D1X 工场插足运营我方的机器。英特尔将来源将其 EXE:5200 High NA 机器用于研发倡导，然后将其插足坐褥 14A 节点。
Van der Brink 还再次提倡了一种新的超数值孔径 EUV 机器，但尚未对该机器作念出最终决定——ASML 似乎正在预计行业兴味，但只须时候智力解释它是否会已毕。
目下的范例 EUV 机器使用波长为 13.5nm 且数值孔径 (NA——荟萃和聚焦光的才略的权衡) 为 0.33 的光。比较之下，新的高数值孔径机器使用沟通的光波长，但遴选 0.55 NA 来打印更小的特征。Van der Brink 提倡的超数值孔径系统将再次使用沟通波长的光，但将 NA 扩大到 0.75，以大概打印更小的特征。咱们不细目提议的临界尺寸，但上头的 ASML 晶体管时候线理会它正在 16nm 金属间距（A3 节点）处阻止并延长到 10nm（A2 以下节点）。
字据上述道路图，Hyper-NA 可能适用于单次曝光 2DFET 晶体管，但目下尚不明晰使用 High-NA 和多重曝光是否也能产生如斯细致的间距。
如您在上头的第一张幻灯片中看到的，这台机器要到 2033 年傍边才会问世。今天的 High-NA 机器依然耗尽了约莫 4 亿好意思元。由于需要更大、更先进的镜子和翻新的照明系统，Hyper-NA 将是一个更不菲的遴荐。
与其前代居品雷同，Hyper-NA 的指标是通过单次曝光打印更小的特征，以幸免多重曝光时候（归并区域的屡次曝光），这些时候频频会加多芯片制造历程的时候和法子，同期也会加多出现颓势的可能性，所有这些齐会加多老本。Van Der Brink 暗示，凯丰优配持续设备光刻机和先进掩模将是擢升印刷特征分辩率的要害。Hyper-NA 还将使用翻新的照明系统以得回最好效果。ASML 莫得详备评释，但不错合理地以为，翻新后的照明器将与更高功率的光源配对，以匡助加多剂量，以对消 0.75 NA 使用的更高镜面角度并擢升产量。
Van der Brink 还提议将公司将来机器的产量从目下的约 200 wph 擢升到将来的 400 到 500 wph。这是 ASML 不错约束老本的另一个杠杆，从而造反每一代新芯片中每个晶体管价钱高潮的趋势。
为了加速设备速率并裁减老本，ASML 依然使用其现存的Low NA Twinscan NXE:3600 EUV 机器算作其新High NA 机器的构建模块。ASML 的Low NA 型号遴选模块化想象，使该公司大概诈欺老练的时候和模块为其新用具就业，况且该公司只在需要时添加新模块。
然则，还有更多优化空间。Van der Brink 以为，在将来十年内，该公司在创建新用具时将加倍遴选模块化想象理念。拟议的永久道路图理会，Low NA、High NA 和Hyper NA 齐具有越来越通用的模块化平台和分享组件。这种想象是 ASML 不错约束老本的另一个杠杆。
芯片行业似乎领有通过使用Low NA 和High NA 用具构建的全栅极 (GAA) 和互补场效应晶体管 (CFET) 的坚实将来发展跑谈，但除了超 NA 以外，还莫得信得过的候选者站出来可能已毕将来几代工艺节点时候。与平常雷同，老本是要害成分，但 ASML 显著依然在议论何如让 Hyper-NA 订价方程对其客户更具勾引力。
台积电改动情意？
台积电先前一再暗示，阿斯麦（ ASML）的高数值孔径极紫外光机台（High-NA EUV），太过不菲，2026年前使用莫得太大的经济效益，但日前台积电总裁魏哲家密访ASML总部，让外界不禁臆测，台积电是否改动情意。
空洞科技媒体wccftech和韩媒BusinessKorea报导，音讯东谈主士指出，魏哲家缺席23日登场的台积电2024年时候论坛台湾场，于26日造访了ASML荷兰总部，以及工业雷射公司创浦（TRUMPF）的德国总部。
金融分析师奈斯泰德（Dan Nystedt） 28日在X平台发文写谈，台积电似乎加入了追赶下一生代EUV配置之战，即High-NA EUV机台，情理是魏哲家拜谒ASML与雷射供应商创浦，而非参与在台湾举行的时候论坛。业界推断，魏哲家的到访，理会台积电思买High-NA EUV，此种配置对2纳米以下制程极为要害。ASML客岁底已出货首台High-NA EUV给英特尔。
分析指出，台积电惩办层似乎决定拜访ASML，确保群众半导体的主导地位。
台积电原来蓄意2026年下半量产1.6纳米制程后，再导入High-NA EUV。High-NA EUV 配置报价高达3.8亿好意思元，约新台币123亿元，较EUV高出逾一倍。
台积电的竞争敌手英特尔和三星电子，齐已有所行为。英特尔思借着High-NA EUV，达到难以超过的率先上风。首先出货的几台High-NA EUV，齐送往英特尔的晶圆代工部门。英特尔思先在1.8纳米试用此种配置，之后负责导入于1.4纳米制程。
三星集团会长李在镕则已在4月亲访ASML要害伙伴蔡司的德国总部，拜会ASML实践长傅凯与蔡司实践长兰普雷希特，以强化三方的半导体定约。
https://www.tomshardware.com/pc-components/cpus/asml-sets-new-chipmaking-density-record-proposes-hyper-na-tools-and-radical-euv-speed-boosts
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